全球电源管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器—N沟道功率MOSFET驱动器。
这款有源ORing集成电路采用SO-8封装，配合外置MOSFET一起使用，可取代传统的二极管ORing，既能显著提升效率，又可降低功耗。许多高端系统，诸如运营商级通信设备、电信和数据通信系统服务器等，需要不间断运行，而有源ORing正好可以满足他们的需要。
IR中国及香港销售总监严国富表示：“与典型的肖特基二极管ORing电路相比，采用IR5001S有源ORing IC和一个优化的外置MOSFET的系统，能在特定的功率水平降低板上功耗达85％以上，体积也将减小一半以上。采用肖特基二极管的ORing 电路在相同的功率水平运行时会产生更多的热量，因此在很多情况下都需要有散热的通孔式器件，结果使整套方案的外型更为笨重，制作过程也更加复杂。”
IR5001S还可以提供附加的“诊断”功能，有助于延长系统的运行时间，提升服务质量，为客户创造更多的价值。
有源ORing把两个以上的电源结合形成冗余电源，以便在其中一个输入电源发生故障时保留输入电源。当一个输入电源发生故障时，有源ORing 电路会迅速切断非运行的电源，以防止系统总线电压发生故障，同时避免产生较大峰值的逆向电流。
IR5001S有源ORing控制器IC广泛适用于各种有源ORing电路，包括运营商级通信设备的-48V/-24V输入有源ORing、用于冗余AC-DC整流器的24V/48V输出有源ORing、用于多路输出DC-DC及AC-DC电源的12V输出有源ORing，以及低电压输出的冗余VRM DC-DC处理器电源。
在12V输出的系统中，只需并联4个IRF6609 DirectFET MOSFET，便可组成能处理100A电流的ORing电路。IR5001S还可以用于48V/24V系统的反向极性应用，取代大型的D2Pak二极管和昂贵的继电器。
如果把IR5001S与100V的IRF6655 DirectFET MOSFET配合使用，可以提供30W到60W功率级的板上电源。采用小罐式封装的IRF6655比采用SO-8封装的体积减少一半，更适合功率较低的应用系统。采用中罐式封装的100W IRF6644 DirectFET MOSFET适用于功率较高的应用，能提供250W到300W功率级的板上电源，而且无需使用多个并联的SO-8器件或体积更大的独立封装器件。
如果加入简单的电荷泵电路，IR5001S可加装在-48V系统的接地ORing端，以符合“先进电信计算架构”（ATCA）的规范。
新产品采用输入终端（INN和INP）来测量外置MOSFET的漏极和源极之间的不同电压和极性，从而确定输出电压。IC的输出电压（Vout）能驱动外置MOSFET栅极。
如果电流极性反向，该IC会将Vout引脚拉低，使有源ORing MOSFET迅速关断。IR5001S的典型关断延迟为130纳秒，场效应管的典型关断时间则为20纳秒，其速度是业界最快的器件的两倍，可有效地将冗余总线电压骤降到最低值。通常，反向极性保护电路安装在系统机架或控制台，而非电路板上。不过，由于IR这套方案体积小巧，该电路可以贴装在电路板上，大大简化了系统设计。
IR5001S IC的诊断引脚（场效应管检查引脚FETch及场效应管状态引脚FETst）能确定有源ORing电路的状态。这对于需要保证长时间可靠运行的系统非常重要。每当一个逻辑信号发送到场效应管检查引脚时，IR5001S的输出（Vout）或MOSFET的栅极驱动便会拉低，使MOSFET关断。
在这个瞬间关断周期中，随着电流由MOSFET沟道转移到体漏极二极管，MOSFET漏极到源极的电压会因此上升。如果电压由低于100mV上升到700mV（体漏极二极管的预期值），MOSFET可以保持正常运行，但是如果电压上升到不足300mV的临界值，MOSFET便会短路。场效应管的状态引脚就会向系统发出输出信号，这取决于外置MOSFET的状态。这个特性可对有源ORing电路进行系统级的监测，有助于预先制定维护程序，避免意外系统停机造成的不便。
非对称偏置电压能避免在轻载时发生输出振荡，提高可靠性。IR5001S能以36V到75V的通用电信总线电压（最大100V），或外置偏压及设计灵活的偏压电阻供电。IR5001S还可以防止持续性的栅极短路现象，以及输入引脚上100V以上的持续电压，实现可靠运行。
IR5001现已供货，每一万片订货量的单价为0.67美元。价格可能会有变动，产品相关数据或详情请浏览IR网站：www.irf.com，基本规格如下：
产品编号
Vin
Vcc
场效应管关断延迟
场效应管关断时间
UVLO Vcc（on）
场效应管状态检测
关断栅极驱动
封装
IR5001S
5V到100V
最大15V
典型130纳秒
典型20纳秒
8.3到10.9
有
3A峰值
SO-8
（新闻稿 博达公关提供 2005-04-13）
